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三星计划将2019年NAND bit成长率由40%下调至30%

时间2018-12-29 13:46:40

来源丨闪存市场

 全球智能型手机需求下滑,PC市场需求也受到了处理器缺货的影响,导致传统Q4淡季更加明显。在需求低迷的大环境下,据The Korea Herald报导,三星计划在2019年减少存储器产量,DRAM bit成长率由之前预估的20%降至低于20%,NAND Flash bit成长率由40%下调至30%。


2018年NAND Flash价格大跌,DRAM价格也在下滑,且已影响到存储厂商获利。日前,美光发布的2019财年Q1净利润32.93亿美元,虽然同比增长23%,但与上个季度相比,营收环比衰退6%,净利润环比下滑24%。同时,市场业内人士预估,三星Q4营业利益将从上季创纪录的17.57兆韩元降至约13兆韩元,也反映出存储器市场的低迷。


为了缓解需求疲软和跌价带来的运营压力,西部数据率先表示要减少Fab的产出,以及减缓下一步的扩产计划,三星也将保守执行其存储器扩产和投资计划。三星曾计划的平泽2厂将于2019年上半完工,但由于市场供应过剩,平泽工厂增产和扩产计划恐延缓,以限制产能成长,防止DRAM价格下跌。据悉,三星原先将在平泽DRAM产线增加4万片晶圆产能,但目前考虑在2019年上半仅增加2~3万片晶圆。


市场业内人士预计,2019上半存储器市场依然会处于需求淡季,但预计下半年将出现反弹。如今各家原厂纷纷减缓投资,控制产出量,将有助于平衡2019上半年市场供需,预计下半年供过于求的局面将有所改善。


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