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三星美光下调出货 群联南亚科得利

时间2018-12-29 13:43:05

 

由于目前国际贸易关系不太融洽,导致了市场的不确定性大增。另外英特尔处理器的缺货,影响全球智能型手机及计算机的销售,也导致 DRAM 及 NAND Flash 出货供给过剩压力,明年价格看跌。

 

为了在低迷的市况中维持住盈利能力,存储器大厂三星 (Samsung) 及美光 (Micron) 已相继传将下调明年 DRAM 及 NAND Flash 位元出货量消息,业界认为有助于减少跌价压力,对南亚科 (Nanya) 及群联 (Phison) 明年营运将是一大利多。

 

根据韩国外电,三星计划 2019 年减少存储器产量,DRAM 位元出货量由原本预估的 20% 以上,降至低于 20%;NAND Flash 位元出货量则由 40% 下修至 30%。

 

三星平泽二厂原本预期明年上半年完工,但因市场供给过剩,该厂增产及扩产计划恐延缓,以限制产能增加并降低 DRAM 跌价速度及幅度,据了解,三星已考量将扩增 4 万片月产能下修至 2~3万片。

 

另外,美光也在日前法说会中透露下修明年出货目标计划。美光指出因为智能型手机出货衰退,加上英特尔处理器缺货影响 PC 出货,2019 年资本支出将由原先预期的 105 亿美元下修至 90 亿美元。

 

同时,美光将明年 DRAM 位元出货量目标由原本预估的 20% 下修至 16%,NAND Flash 位元出货量则由原先预估 35~40% 下修至 35%。

 

至于韩国另一存储器大厂 SK 海力士,虽然尚未说明 2019 年的出货目标,但曾表示会减少资本支出,以控制出货量增长率及减缓下一步投资计划。与东芝合作的西部数据(WD)同样释出将放缓明年 NAND Flash 新产能投资,以避免价格持续大跌影响获利。

 

从存储器大厂调降明年位元出货目标的动作来看,DRAM 及 NAND Flash 的位元出货量增长率,将会被控制在与市场需求增长率的幅度相符。

 

目前各大厂普遍预期明年 DRAM 位元需求量将较今年增长 15~20%,NAND Flash 位元需求量则较今年增长 35% 左右。

 

业者指出,若位元增长率有效控制,跌价情况将明显放缓,只要本身制程顺利微缩,就可降低获利大幅下滑压力。

 

法人则指出,包括三星及美光等大厂若真能控制明年位元出货量,DRAM 价格可望在明年第 2 季止跌,明年下半年应可维持稳定,以南亚科 20 奈米微缩十分顺利情况来看,获利不致于有太大的衰退。

 

NAND Flash 今年价格重挫七成以上,明年跌价幅度可望缩小在三成以内,且跌价有助于提高终端需求,群联明年获利有机会优于今年。

source:工商时报

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