欢迎光临深圳市星睿奇光电有限公司!

三星提出极低温、极低压方案或将解决EUV蚀刻制程两大问题

发布时间 : 2019-12-12    文章来源:

EUV光刻技术作为先进制程领域的最新技术而备受业内关注,目前仅有三星和台积电两家企业正式导入,还处于初期试产阶段,仍有许多问题待解决。面对EUV蚀刻制程的两大问题,三星电子准备以极低温、极低压方法解决。

日前,在汉阳大学研讨会中,三星半导体专家朴钟哲表示,EUV制程在蚀刻制程面对两项难题。一是电路底部形成的微桥(micro bridge),二是因电路线幅相当窄小,蚀刻材料不易深入。

微桥是因能量增强使EUV光阻剂出现微小反应而产生异物,加上电路之间的线幅过窄,异物质变成连接线路的桥梁。延长曝光时间能解决微桥问题,但设备产能将下降。在之前工艺中将采用聚合物(polymer)材料保护电路上半部,然后才反复清除电路底部的微桥,这种方式用在下一代制程可能会有困难,因此必须开发新的蚀刻技术。

另一个问题是EUV制程的线幅非常窄,若用原本的聚合物保护不被刻蚀部分,将让蚀刻材料能进入的开口更小,如此一来导致制造时间与成本双双提高。延长蚀刻制程时间将使传输蚀刻物质的电源增加,上半部须保护的程度也将提高,变成恶性循环。

三星提出的解决方案是采用极低温与极低压。降低晶圆进入的腔体温度,可减少在无聚合物下进行蚀刻的必要气体运动,利用原本在常温相当活跃的物质,进到零下极低温会减缓运动的原理。采用可有效生成蚀刻物质的极低压方式,让腔体内的气体迅速运动,成为High Pumping蚀刻技术。


收起