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2016年下半3D NAND Flash,三星仍将具产能与技术优势
发布时间 : 2016-07-14 文章来源：
DIGITIMES Research观察，2016年上半三星电子(Samsung Electronics)为全球供应3D NAND Flash的主要业者，然2016年下半随东芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等内存业者陆续量产3D NAND Flash，三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，不过，三星已及早规划增产3D NAND Flash及朝64层堆栈架构迈进，短期内仍将掌握产能与技术优势。
三星已自2013年下半起陆续量产24层、32层、48层3D NAND Flash，2016年下半将量产64层3D NAND Flash，除大陆西安厂外，亦将南韩京畿道华城厂Fab 16朝3D NAND Flash转换，并规划华城厂Fab 17一部分空间用于增产3D NAND Flash，且其兴建中的京畿道平泽新厂将涵盖生产次世代3D NAND Flash，以建构3D NAND Flash三大生产据点。
2016年上半东芝已少量生产48层3D NAND Flash，待2016年第2季其位于日本三重县四日市工厂的第二栋厂房重建完毕，将朝正式量产迈进。为拉近落后于三星的距离，东芝与SanDisk阵营正检讨2016年下半量产64层3D NAND Flash的可能性。
至于美光／英特尔(Intel)阵营及SK海力士，2016年上半皆已有32层3D NAND Flash样品，2016年下半可能量产32层／48层3D NAND Flash。
DIGITIMES Research观察，三星已确立在大陆西安、南韩京畿道华城及平泽建构3D NAND Flash三大生产据点，其他内存业者不仅3D NAND Flash产能难以与之抗衡，技术亦不易迎头赶上。
2016年下半3D NAND Flash供货家数将增加 竞争趋于激烈
三星系全球最早量产3D NAND Flash的业者，已自2013年下半起陆续量产24层、32层、48层3D NAND Flash，2016年下半三星将量产64层3D NAND Flash，以维持技术领先态势。
观察其他内存业者于3D NAND Flash量产规画，东芝主要将在日本三重县四日市工厂的第二栋厂房生产3D NAND Flash，随该厂房将于2016年第2季重建完毕，可望自原先少量生产48层3D NAND Flash，朝正式量产迈进，且东芝与SanDisk阵营正检讨2016年下半量产64层3D NAND Flash的可能性，以加速拉近其落后于三星的距离。
至于美光／英特尔阵营及SK海力士，2016年上半皆已有32层3D NAND Flash样品，2016年下半可能量产32层／48层3D NAND Flash，其中，美光主要于新加坡、SK海力士则于南韩忠清北道清州M12工厂建构3D NAND Flash产能。
2016年下半内存业者别3D NAND Flash量产规画 |
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数据源：各公司、三星证券，DIGITIMES整理，2016/6 |
整体观察，2016年下半随东芝、美光与SK海力士将陆续量产3D NAND Flash，原先由三星独家供应3D NAND Flash的状况将改变，也意味3D NAND Flash市场竞争将趋激烈。
三星将建构3D NAND Flash三大生产据点 以掌握产能优势
观察三星于3D NAND Flash投资计划，其大陆西安厂自2014年启用以来，已历经第一、第二阶段投资，逐步将西安厂3D NAND Flash月投片量(以12吋晶圆为准)提升至2016年6月底的10万片左右。
2016年上半三星大陆西安厂主要量产32层3D NAND Flash，亦生产48层产品，并逐渐具备生产64层产品的能力，该厂所供应3D NAND Flash主要搭载于三星自有品牌SSD产品。
另一方面，三星已自2015年下半起着手将其位于南韩华城厂Fab 16的16奈米2D NAND产线移转为20奈米48层3D NAND Flash产线，主要将供应给苹果(Apple) iPhone7搭载使用。其华城厂Fab 16亦可望自2016年下半起朝64层产品转换。
三星华城厂Fab 17原先规划用于系统LSI用途，然受到智能型手机成长趋缓，及苹果将应用处理器订单转给台积电代工等因素影响，三星Fab 17第一阶段投资改成DRAM，第二阶段虽尚未明确公布，但可望自2016年下半起将部分空间用于增产3D NAND Flash。
至于三星尚在兴建中的南韩京畿道平泽新厂，将有一部分空间用于生产次世代3D NAND Flash，其目标为2017年底前建构完成。
2014~2017年三星于3D NAND Flash投资计划 |
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数据源：三星电子、三星证券，DIGITIMES整理，2016/6 |
整体观察，三星计划在大陆西安、南韩京畿道华城及平泽建构3D NAND Flash三大生产据点，对照2016年下半东芝、美光及SK海力士于3D NAND Flash皆尚处初步量产阶段，三星短期内仍将掌握3D NAND Flash产能优势。
三星将于大陆西安与南韩京畿道建构3D NAND Flash三大生产据点 |
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数据源：三星电子、三星证券，DIGITIMES整理，2016/6 |
结语
三星于全球3D NAND Flash产业居领先地位，至2016年上半为止，三星已量产24层、32层、48层3D NAND Flash，2016年下半其将再量产64层产品，反观东芝计划2016年下半正式量产48层3D NAND Flash，美光与SK海力士亦可望于2016年下半量产32层／48层产品，显示其他业者要追赶上三星3D NAND Flash技术仍需一段时间。
至2017年为止全球主要内存业者于供应3D NAND Flash时程表 |
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数据源：各公司、三星证券，DIGITIMES整理，2016/6 |
在产能布建方面，2016年上半三星大陆西安厂3D NAND Flash月投片量(以12吋晶圆为准)已达10万片左右，加上三星南韩华城厂Fab 16朝3D制程切换、Fab 17将涵盖增产3D NAND Flash，及平泽新厂将囊括生产次世代3D NAND Flash，可看出三星已及早规划于大陆西安、南韩京畿道华城及平泽布建3D NAND Flash产能。
对照2016年下半东芝、美光及SK海力士虽将依序于日本四日市、新加坡及南韩清州量产3D NAND Flash，然皆尚处于初步量产阶段，短期内此3家业者的3D NAND Flash产能仍将难与三星抗衡。
