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全球3D NAND Flash战火一触即发
发布时间 : 2016-07-14 文章来源：
未来3D NAND Flash相关产品价格将快速下滑。图为NAND Flash内存晶圆。法新社
全球大容量3D NAND Flash不再是由韩厂三星电子(Samsung Electronics)独家量产，随着美、日系内存大厂纷投入量产，未来3D NAND Flash可望成为储存装置主流，快速应用在智能型手机与PC等产品上，尽管目前3D NAND Flash价格仍偏高，然随着众厂火力全开、扩大市场，后续价格将快速下滑，且主流USB随身碟与记忆卡容量亦将再度增大。
3D NAND Flash系将电路多层堆栈以增加单位面积内电路密度，较2D NAND Flash拥有更高的速度与稳定度，最早系由日厂东芝(Toshiba)展出相关技术，但却是由三星率先量产，并在高阶智能型手机Galaxy S7首度搭载3D NAND Flash技术芯片。
2016年起包括美系大厂美光(Micron)、韩厂SK海力士(SK Hynix)及日厂东芝，均宣布量产3D NAND Flash。东芝在日本三重县四日市增建3D NAND Flash工厂；SK海力士位于南韩清州M12厂将转成生产3D NAND Flash厂房，利川新厂房M14亦将量产3D NAND Flash；美光新加坡10X工厂将转为3D NAND Flash厂房；英特尔(Intel)大陆大连厂也将转成3D NAND Flash工厂。
目前3D NAND Flash主流产品容量是256Gb，单价约10美元，相较于传统2D NAND Flash容量128Gb产品单价仅4~5美元，3D NAND Flash单位容量价格依然偏高，不过，随着市场上大容量芯片货源快速增加，削价竞争战火一触即发，一旦3D NAND Flash产品良率与容量有效拉升，将快速取代传统2D NAND Flash市场。
由于3D NAND Flash可制成容量更大的内存装置，厂商纷预期3D NAND Flash大量投入市场后，USB随身碟与记忆卡主流容量将从128GB增到512GB以上，且大容量固态硬盘(SSD)亦将快速增加，且在3D NAND Flash大幅降价之际，既有USB随身碟、记忆卡与SSD恐将先降价。
出处：法新社
2016年起包括美系大厂美光(Micron)、韩厂SK海力士(SK Hynix)及日厂东芝，均宣布量产3D NAND Flash。东芝在日本三重县四日市增建3D NAND Flash工厂；SK海力士位于南韩清州M12厂将转成生产3D NAND Flash厂房，利川新厂房M14亦将量产3D NAND Flash；美光新加坡10X工厂将转为3D NAND Flash厂房；英特尔(Intel)大陆大连厂也将转成3D NAND Flash工厂。
目前3D NAND Flash主流产品容量是256Gb，单价约10美元，相较于传统2D NAND Flash容量128Gb产品单价仅4~5美元，3D NAND Flash单位容量价格依然偏高，不过，随着市场上大容量芯片货源快速增加，削价竞争战火一触即发，一旦3D NAND Flash产品良率与容量有效拉升，将快速取代传统2D NAND Flash市场。
由于3D NAND Flash可制成容量更大的内存装置，厂商纷预期3D NAND Flash大量投入市场后，USB随身碟与记忆卡主流容量将从128GB增到512GB以上，且大容量固态硬盘(SSD)亦将快速增加，且在3D NAND Flash大幅降价之际，既有USB随身碟、记忆卡与SSD恐将先降价。
出处：法新社
